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https://repositorio.ufba.br/handle/ri/13168
Tipo: | Artigo de Periódico |
Título: | Spin susceptibility and effective mass in shallow doubly doped semiconductor systems |
Título(s) alternativo(s): | Physical Review B |
Autor(es): | Silva, A. Ferreira da |
Autor(es): | Silva, A. Ferreira da |
Abstract: | In light of a recent investigation of the conductivity and metal-insulator transition in the shallow double donor Si:P,As, the spin susceptibility g, and effective mass I of the systems Si:P,As and Si:P,Sb have been calculated. The electronic systems are described by a Gutzwiller scheme to finite temperature. The results for the doubly doped systems predict an enhancement of m and g, similar to that of the single-donor system Si:P in the vicinity of the transition. |
Editora / Evento / Instituição: | Physical Review B |
URI: | http://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/13168 |
Data do documento: | 1991 |
Aparece nas coleções: | Artigo Publicado em Periódico (FIS) |
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Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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